车规级 IGBT 是指电动汽车上驱动电机控制器 MCU 中使用的功率变换器 件。车规级 IGBT 技术重视散热以及产品性能，模块封装要求更高。IGBT 车规级 下游应用对于封装技术要求不同，其中车规级由于工作温度高需要注重强振动条 件，其封装要求高于工业级和消费级，

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即绝缘栅双极型晶体管，其 通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通； 反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使 IGBT 关断。

IGBT 芯片是指结构内部有两部分构成，由 PNP 与 NPN 两个三极管构成 的推挽电路，以及结联的 MOSFET 和 PIN 二极管。IGBT 的 IGBT 芯片由数万 个到数亿不等的元胞构成，在工艺上采用大规模集成电路技术和功率半导体器 件技术制造。

目 前 ， 在 微 芯 片 和 电 子 产 品 的 微 型 化 过 程 中 ， 有 两 种 有 趣 的 封 装 创 新 正 在 被 应 用 。 一 种 是 结 合 了 两 种 久 经 考 验 的 技 术 的 新 概 念 ；另 一 种 是 几 十 年 前 的 老 技 术 ，它 正 在 以 新 的 方 式 被 人 们 使 用 。

由于宽禁带半导体 SiC 的固有特征，以及不同于 Si 材料的半导体氧化 层界面特性，会引起阈值电压变化以及漂移现象。为了理解这些差异，解 释这些差异与材料本身特性的关系，评估其对应用、系统的影响，需要更 多的研究及探索。